カテゴリー３－エレクトロニクス
Ａ．システム、装置及び部分品
「注1」：3A001又は3A002に記述された装置及び部分品であって、但し3A001.a.3
から3A001.a.10まで、又は3A001.a.12に記述されたものを除き、他の装
置のために特別に設計したもの、或いは前記装置と同じ機能特性を有す
るものの規制状況は、当該他の装置の規制状況により決定される。
「注2」：3A001.a.3から3A001.a.9まで、又は3A001.a.12に記述された集積回路
であって、他の装置のためにプログラムされかつ書換えできないもの、
或いはこのために特定の機能を有するように設計したものの規制状況は、
当該他の装置の規制状況により決定される。
注意：製造者又は申請者が他の装置の規制状況を決定できない時は、集積回路
の規制状況は3A001.a.3から3A001.a.9まで及び3A001.a.12で決定される。
もし、集積回路がｼﾘｺﾝを主材料とした”ﾏｲｸﾛｺﾝﾋﾟｭｰﾀ ”又はﾏｲｸﾛｺﾝﾄﾛｰﾗ
であって、ｵﾍﾟﾗﾝﾄﾞ（ﾃﾞｰﾀ）語長が8ﾋﾞｯﾄ以下の3A001.a.3に記述された
ものならば（他の装置用を含め）、その集積回路の規制状況は
3A001.a.3により決定される。
３Ａ００１ 電子部分品であって、下記のもの（リスト規制品目を参照）
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＭＴ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＭＴは3A001.a.1.aに適用される。 MT ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：規制理由MTのものには適用不可。
3A001.cについては＄1500まで。
3A001.b.1,b.2,b.3,.d,.e及び.fについては＄3000まで。
3A001.a,及び.b.4からb.7までについては＄5000まで。
ＧＢＳ：適用可、但し3A001.a.1.a,b.1,b.3からb.7まで.cから.fまでを除く。
ＣＩＶ：適用可、但し3A001.a.1,a.2,a.3.a,a.5,a.6,a.9,a.10,及びa.12,.b,
.c,.d,.e,及び.fを除く。
［リスト規制品目］
単位：数量とする。
関連する規制：3A101,3A201及び3A991も併せて参照のこと。
関連する用語の定義：3A001.a.1の集積回路において、
5x(10の3乗) Gy(Si)=5x(10の5乗) Rads(Si);
5x(10の6乗) Gy(Si)/s=5x(10の8乗) Rads(Si)/s
品目：
a.汎用集積回路であって、下記のもの。
「注1」：ウエハー（完成されたもの及び切断されていないもの）であって、機
能が決定されたものの規制状況は、3A001. aのパラメーターを対照して
評価されることになっている。
「注2」：集積回路には次のものを含む。
”モノリシック集積回路”
”ハイブリッド集積回路”
”マルチチップ集積回路”
”膜形集積回路”これには、ｼﾘｺﾝｵﾝｻﾌｧｲｱ集積回路を含む
”光集積回路”
a.1.集積回路であって、放射線に関し以下のいずれかに耐えるよう設計
若しくは定格されたもの。
a.1.a.全吸収線量がシリコン換算で 5,000グレイ以上、或いは
a.1.b.吸収線量がシリコン換算で１秒間に 5,000,000グレイ以上の放
射線照射により障害を発生しない
a.2.”マイクロプロセッサ””マイクロコンピュータ”マイクロコント
ローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタ
ル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、”信号処理”用
に設計された電気光学的集積回路若しくは”光集積回路”、フィー
ルドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを
用いたもの、機能が知らされていないか若しくはそれが使用される
装置の規制状況が未知のカスタム集積回路、高速フーリエ変換
（ＦＦＴ）プロセッサ、プログラムを電気的に消去できるプログラ
マブルロム(EEPROMs)、フラッシュメモリー、又はスタティック式
のラム(SRAMs)であって、次のいずれかに該当するもの。
a.2.a.398K(125℃)を超える温度で動作する定格のもの
a.2.b.218K(-55℃)未満の温度で動作する定格のもの 或いは
a.2.c.218K(-55℃)から398K(125℃)までの全ての温度範囲で動作す
る定格のもの
｢注」：3A001.a.2 は民生用自動車又は鉄道車輛用の集積回路には適用
しない。
a.3.”マイクロプロセッサ””マイクロコンピュータ”及びマイクロコ
ントローラであって、次のいずれかの特性を有するもの。
｢注」：3A001.a.3 はデジタルシグナルプロセッサ、デジタルアレイプ
ロセッサ及びデジタルコプロセッサを含む。
a.3.a.論理演算ユニットのアクセス幅のビット数が32以上のものであ
って、”複合理論性能”（”ＣＴＰ”）が１秒につき6,500メ
ガ演算以上のもの
a.3.b.化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が
40メガヘルツを超えるもの 或いは
a.3.c.並列プロセッサ用に設計したものであって、転送速度が2.5
メガバイト毎秒を超える外部との相互接続のためのデータバス、
命令バス又は直列通信ポートのいずれかを２以上有するもの
a.4.化合物半導体を用いた記憶素子用の集積回路。
a.5.アナログデジタル又はデジタルアナログ変換用の集積回路であって、
次のいずれかに該当するもの。
a.5.a.アナログデジタル変換用のものであって、次のいずれかに該当
するもの
a.5.a.1.分解能が８ビット以上12ビット未満のものであって、総変
換時間が200ナノ秒未満のもの
a.5.a.2.分解能が12ビットのものであって、総変換時間が200ナノ秒
未満のもの
a.5.a.3.分解能が12ビットを超えるものであって、総変換時間が
2マイクロ秒未満のもの
a.5.b.デジタルアナログ変換用のものであって、分解能が12ビット以
上のもののうち、”セトリング時間”が10ナノ秒未満のもの
｢技術的な注釈」：
１．n ビットの分解能とは、2のn乗レベルに相当する量子化能
力をいう。
２．総変換時間は、サンプリング速度の逆数である。
a.6.”信号処理”用の電気光学的集積回路および”光集積回路”であっ
て、次の全てに該当するもの。
a.6.a.一つ以上の”レーザー発信器”を有するもの
a.6.b.一つ以上の受光素子を有するもの
a.6.c.光導波路を有するもの
a.7.フィールドプログラマブルロジックデバイスであって、次のいずれ
かに該当するもの。
a.7.a.使用することができるゲート数が２入力ゲート換算で30,000を
超えるもの
a.7.b.”基本ゲート伝播遅延時間”が0.4ナノ秒未満のもの
a.7.c.トグル周波数が133メガヘルツを超えるもの
｢注」：3A001.a.7 は次のものを含む。
小規模プログラマブルロジックデバイス(SPLDs)
大規模プログラマブルロジックデバイス(CPLDs)
フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGAs)
フィールドプログラマブルロジックアレイ(FPLAs)
フィールドプログラマブル相互接続用集積回路(FPICs)
注意：フィールドプログラマブルロジックデバイスは、フィールドプロ
グラマプルゲート又はフィールドプログラマブルロジックアレイ
としても又知られている。
a.8.予 備
a.9.ニューラルネットワークを用いた集積回路。
a.10.機能が未知のもの若しくはそれが使用される装置の規制状況が製
造者に知らされていないカスタム集積回路であって、次のいずれ
かに該当するもの。
a.10.a.端子数が208を超えるもの
a.10.b."基本ゲート伝播遅延時間"が0.35ナノ秒未満のもの、或いは
a.10.c.動作周波数が3ギガヘルツを超えるもの
a.11.化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、3A001.a.3か
ら3A001.a.10まで及び3A001.a.12以外のもので、次のいずれかに
該当するもの。
a.11.a.等価ゲート数が２入力ゲート換算で3,000を超えるもの
a.11.b.トグル周波数が1.2ギガヘルツを超えるもの
a.12.高速フーリエ変換（ＦＦＴ）プロセッサであって、次のいずれか
に該当するもの。
a.12.a.複素点の数が1,024であるときの高速フーリエ変換の定格実行
時間が１ミリ秒未満のもの
a.12.b.複素点の数が1,024以外のN点であるときの高速フーリエ変換
の定格実行時間がN log2 N/10,240ミリ秒未満のもの、ここで
Nは複素点の数とする。 或いは
a.12.c.バターフライ回路のスループットが5.12メガヘルツを超える
もの
b.マイクロ波又はミリ波用部分品であって、次のいずれかに該当するもの。
b.1.電子真空管及び陰極であって、次のもの。
｢注」：3A001.b.1は国際電気通信連合(ITU)が割り当てる周波数帯域で
あって、31ギガヘルツを超えない周波数で動作するよう設計、
若しくは定格されたものを規制しない。
b.1.a. パルス波又は連続波の進行波管であって、次のいずれかに該
当するもの
b.1.a.1.動作周波数が31ギガヘルツを超えるもの
b.1.a.2.フィラメントを加熱してから定格出力に達する時間が3秒
未満の熱陰極を有するもの
b.1.a.3.空胴結合型管、若しくはその派生物であって、”瞬時帯域
幅”が7%を超えるもの、又は最大出力が2.5キロワットを
超えるもの
b.1.a.4.ヘリックス管、若しくはその派生物であって、次のいずれ
かの特性を有するもの
b.1.a.4.a.1オクターブを超える”瞬時帯域幅”を有するものであ
って、平均出力(KWで表わす)に周波数(GHzで表わす)を
乗じて得た値が0.5を超えるもの
b.1.a.4.b.1オクターブ以下の”瞬時帯域幅”を有するものであっ
て、平均出力(KWで表わす)に周波数(GHzで表わす)を
乗じて得た値が1.0を超えるもの 或いは
b.1.a.4.c.”宇宙用”のもの
b.1.b.クロスフィールド増幅管であって、その利得が17デシベルを超
えるもの
b.1.c.電子管用に設計した含浸形陰極であって、定格動作状態での連
続放射電流密度が5アンペア毎平方センチメートルを超えるも
の
b.2. マイクロ波用の集積回路又はモジュールであって、下記の全てに
該当するもの。
b.2.a.”モノリシック集積回路”を有するもの
b.2.b.動作周波数が3ギガヘルツを超えるもの
｢注」：3A001.b.2は国際電気通信連合(ITU)が割り当てる周波数帯域で
あって、31ギガヘルツを超えない周波数で動作するよう設計、
若しくは定格された装置用の回路又はモジュールを規制しない。
b.3.マイクロ波用トランジスタであって、動作周波数が31ギガヘルツを
超えるもの。
b.4.マイクロ波用固体増幅器であって、次のいずれかに該当するもの。
b.4.a.動作周波数が10.5ギガヘルツを超えるものであって、半オクタ
ーブを超える”瞬時帯域幅”を有するもの 或いは
b.4.b.動作周波数が31ギガヘルツを超えるもの
b.5.電子的又は磁気的に同調可能な帯域通過又は帯域阻止フィルターで
あって、10マイクロ秒未満で1.5:1(Fmax/Fmin)の周波数帯域に同調
可能な可変周波数共振器を6個以上持ち、次のいずれかに該当する
もの。
b.5.a.中心周波数の0.5%を超える帯域通過幅を有するもの、或いは
b.5.b.中心周波数の0.5%未満の通過阻止幅を有するもの
b.6.マイクロ波用”組立品”であって、動作周波数が31ギガヘルツを超
えるもの
b.7.ミクサ及びコンバータであって、3A002.c,3A002.e又は3A002.fに記
述された装置に使用することによって、周波数範囲をそこに記載さ
れた限界を超え該当するように設計されたもの。
b.8.3A001.bによって規制される電子管を内臓するマイクロ波用電力増
幅器であって、次の全てに該当するもの。
b.8.a.動作周波数が3ギガヘルツを超えるもの
b.8.b.平均出力電力密度が80ワット毎キログラムを超えるもの
b.8.c.体積が400立方センチメートル未満のもの
｢注」：3A001.b.8は国際電気通信連合(ITU)が割り当てる周波数帯域で
動作するよう設計、若しくは定格された装置を規制しない。
c.音波利用装置であって、次のもの及びそのために特別に設計した部分品。
c.1.表面弾性波及び疑似表面（浅い上澄部）弾性波を利用する装置（即
ち、物質中の弾性波を利用する”信号処理”装置）であって、次の
いずれかに該当するもの。
c.1.a.搬送周波数が2.5ギガヘルツを超えるもの
c.1.b.搬送周波数が1.0ギガヘルツを超え、2.5ギガヘルツ以下のもの
であって、次のいずれかに該当するもの
c.1.b.1.サイドローブに対するメインローブの電力比が55デシベル
を超えるもの
c.1.b.2.最大遅延時間と帯域幅の積（時間はマイクロ秒、帯域幅は
メガヘルツとする。）が100を超えるもの
c.1.b.3.帯域幅が250メガヘルツを超えるもの、 或いは
c.1.b.4.分散遅延時間が10マイクロ秒を超えるもの、或いは
c.1.c.搬送周波数が1ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれか
に該当するもの。
c.1.c.1.最大遅延時間と帯域幅の積（時間はマイクロ秒、帯域幅は
メガヘルツとする。）が100を超えるもの
c.1.c.2.分散遅延時間が10マイクロ秒を超えるもの、 或いは
c.1.c.3.サイドローブに対するメインローブの電力比が55デシベル
を超えるものであって、帯域幅が50メガヘルツを超えるも
の
c.2.バルク（体積）弾性波を利用する装置（即ち、弾性波を利用する
”信号処理”装置）であって、1ギガヘルツを超える周波数で信号
の直接処理ができるもの。
c.3.音響波（バルク波又は弾性波）と光波の相互作用を利用した音響光
学”信号処理”装置であって、信号又は画像の直接処理ができるも
の。信号処理にはスペクトル解析、相関又は回転を含む。
d.”超伝導”材料を用いた部分品を内臓する電子素子及び電子回路であっ
て、使用する少なくとも一つの超伝導材料の”臨界温度”より低い温度
で動作するよう特別に設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの。
d.1.”超伝導”ゲートを有するデジタル回路用の電流切換え機能を有す
るものであって、ゲート当たりの遅延時間（秒）にゲート当たりの
電力消費（ワット）を乗じて得た値が10の(－14乗)ジュール未満の
もの。 或いは
d.2.周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が10,000を超え
る共振回路を有するもの。
e.高エネルギー装置であって、次のいずれかに該当するもの。
e.1.電池及び太陽電池であって、次のいずれかに該当するもの。
｢注」：3A001.e.1は体積が27立方センチメートル以下の電池を規制しな
い（例えば、標準Ｃセル又はR14電池）。
e.1.a.一次電池であって、定格動作温度範囲が243K(-30℃)未満から
343K(70℃)超のもののうち、エネルギー密度が480ワット時毎
キログラムを超えるもの
e.1.b.再充電可能電池であって、253K(-20℃)未満から333K(60℃)超
の温度範囲で動作する場合に、Ｃ／５時間（Ｃは公称容量をア
ンペア・時で表したもの）に等価な放電電流で75回の充放電を
繰返した後のエネルギー密度が150ワット時毎キログラムを超
えるもの
｢技術的な注釈」：エネルギー密度は、電圧が放電を開始する直前の電
圧の７５％に達するまで放電を行った場合におけるワットで表わ
した平均放電電力（平均電圧・ボルトに平均電流・アンペアを乗
じたもの）に時で表わした放電時間を乗じて得た値をキログラム
で表わしたセル（又は電池）の総質量で除した数値として求めら
れる。
e.1.c.”宇宙用”に又は耐放射線性能を強化した太陽電池であって、
2,800K(2,527℃)のタングステン光源から1キロワット毎平方メ
ートルの照射を受けた時の出力が、301K(28℃)の動作温度にお
いて160ワット毎平方メートルを超えるもの
e.2.高エネルギー貯蔵コンデンサであって、次のいずれかに該当するも
の。
e.2.a.反復サイクルが10ヘルツ未満のコンデンサ（単発放電用）であ
って、下記の全てに該当するもの
e.2.a.1.定格電圧が5キロボルト以上のもの
e.2.a.2.エネルギー密度が250ジュール毎キログラム以上のもの
e.2.a.3.総エネルギーが25キロジュール以上のもの
e.2.b.反復サイクルが10ヘルツ以上のコンデンサ（繰返し放電定格）
であって、下記の全てに該当するもの
e.2.b.1.定格電圧が5キロボルト以上のもの
e.2.b.2.エネルギー密度が50ジュール毎キログラム以上のもの
e.2.b.3.総エネルギーが100ジュール以上のもの
e.2.b.4.充電及び放電の繰返し寿命が10,000回以上のもの
e.3.１秒を要しないで完全に充電又は放電できるように特別に設計され
た”超伝導”電磁石及びソレノイドであって、下記の全てに該当す
るもの。
｢注」：3A001.e.3は磁気共鳴映像法(MRI)を用いた医療用装置のために
特別に設計された”超伝導”電磁石又はソレノイドを規制しな
い。
e.3.a.エネルギー放出の際の最初の１秒間で放出するエネルギーが
10キロジュールを超えるもの
e.3.b.コイルの内径が250ミリメートルを超えるもの
e.3.c.定格磁束密度が8テスラを超えるもの又は定格”最大電流密度”
が300アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの
f.回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、次のいずれかに該当
するもの
f.1.分解能が計ることのできる最大の角度の265,000分の1未満（18ビッ
ト以上の分解能）のもの
f.2.角度の変換誤差の絶対値が2.5秒未満もの
３Ａ００２ 汎用電子装置であって、下記のもの（リスト規制品目を参照）
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
（許可要件に関する注）
許可例外に基づき輸出する際の報告要件については、EARの743章1を参照
のこと。
［許可例外］
ＬＶＳ：3A002.a,.e,.f,.gについては＄3000まで。
3A002.b,から.dについては＄5000まで。
ＧＢＳ：適用可。但し、3A002.a.1、又は3A002.b及び3A002.d(共に、合成出
力周波数が2.6ギガヘルツ以下で、かつ、”周波数切換え時間”が
0.3ミリ秒以上のもの)に限る。
ＣＩＶ：適用可。但し、下記のものに限る。
・3A002.a.1に該当するものであって、下記の全ての条件を満たす
もの。
1)最大28トラックで帯域幅は各トラック共4メガヘルツを超え
ないもの、又は最大42トラックで各トラック共2メガヘルツ
を超えないもの
2)テープ速度が6.1メートル毎秒を超えないもの
3)水中で使用するように設計されていないもの
4)軍事用として耐久性を高められていないもの
5)記録密度は、1ミリメートル当たり正弦波磁束数が653.2を超
えないもの
・3A002.b又は3A002.dに該当するものであって、合成出力周波数が
2.6ギガヘルツ以下で、かつ、”周波数切換え時間”が0.3ミリ秒
以上のもの
［リスト規制品目］
単位：台数。
関連する規制：3A292及び3A992も併せて参照のこと。
関連する用語の定義：なし。
品目：
a.記録装置であって、下記のいずれかに該当するもの及びそのために特別
に設計された試験用テープ。
a.1.計測用のアナログ磁気テープ記録装置で、但しデジタル信号の記録
ができるものを含む（例えば、高密度デジタル記録(HDDR)モジュー
ルを使用する）ものであって、下記のいずれかに該当するもの。
a.1.a.帯域幅が4メガヘルツを超えるトラック又は電子チャネルを有
するもの
a.1.b.１トラック又は1電子チャネル当たりの帯域幅が2メガヘルツを
超えるものであって、記録トラックの数が42を超えるもの
a.1.c.適切なIRIG又はEIA文書に従い測定されたタイムベース（時間
変位）エラーが、±0.1マイクロ秒未満のもの
｢注」：民生用のビデオに使用するように特別に設計されたアナログ磁
気テープ記録装置は、計測用のテープ記録装置とみなさない。
a.2.デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置であって、装置間の最大
デジタル転送速度が360メガビット毎秒を超えるもの。
｢注」：3A002.a.2はテレビジョン信号の記録用に特別に設計したもので
あって、国際電気通信連合(ITU),国際電気標準会議(IEC),アメ
リカ映画・テレビ技術者協会(SMPTE),ヨーロッパ放送連合(EBU)
又はアメリカ電気電子技術者協会(IEEE)により規格化され、又
は勧告された信号フォーマット（圧縮されたものを含む。）を
使用するデジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置を規制しな
い。
a.3.計測用のデジタル磁気テープ記録装置であって、ヘリカル走査技術
又は固定ヘッド技術を用いたもののうち、次のいずれかに該当する
もの。
a.3.a.装置間の最大デジタル転送速度が175メガビット毎秒を超える
もの、 或いは
a.3.b.”宇宙用”のもの
｢注」：3A002.a.3はアナログ磁気テープ記録装置であって、高密度デジ
タル記録(HDDR)転換装置を装備したもの及びデジタルデータ専
用に設定されたものを規制しない。
a.4.デジタル方式のビデオ磁気テープ記録装置を計測用のデジタルデー
タ記録装置として使用するために設計された装置であって、装置間
の最大デジタル転送速度が175メガビット毎秒を超えるもの。
a.5.波形デジタイザー及びトランジェントレコーダであって、次の全て
に該当するもの。
注意：3A292も併せて参照のこと。
a.5.a.サンプリング速度が１秒当たり２億サンプル以上で、かつ、分
解能が10ビット以上のもの
a.5.b.２ギガビット毎秒以上のデータを連続して出力することができ
るもの
｢技術的な注釈」：パラレルバスアーキテクチャを有する装置にあって
は、最大ワード転送速度にワードを構成するビット数を乗じて得
た値を連続して出力できるものとする。連続して出力できるとは、
装置がサンプリング速度を維持した状態で、入力信号をアナログ
からデジタルに変換しながら、変換されたデジタル情報を欠落な
く連続して大容量記憶装置にデータを最も速く出力することがで
きることを言う。
b.装置の部分品であって、”周波数シンセサイザー”を用いた”組立品”
のうち、一つの選択周波数から別の周波数への”周波数切換え時間”が
１ミリ秒未満のもの。
c.”信号分析器”であって、次のいずれかに該当するもの。
c.1.”信号分析器”であって、31ギガヘルツを超える周波数を分析する
ことができるもの。
c.2.”動的信号分析器”であって、”実時間帯域幅”が25.6キロヘルツ
を超えるもの。
｢注」：3A002.c.2は帯域幅が固定比のフィルター（オクターブ又は半オ
クターブフィルターとも呼ばれる）のみ使用する”動的信号分
析器”を規制しない。
｢技術的な注釈」：帯域幅が固定比のフィルターはまたオクターブ又は半
オクターブフィルターとして知られている。
d.周波数シンセサイザーを用いて周波数を生成する信号発生器であって、
その精度及び短期間並びに長期間安定度が、内部の基準周波数により制
御、導出若しくは統合されるもののうち、次のいずれかに該当するもの。
d.1.最大合成出力周波数が31ギガヘルツを超えるもの。
d.2.一つの選択周波数から別の周波数への”周波数切換え時間”が１ミ
リ秒未満のもの。
d.3.搬送波に対する１ヘルツ当たりの単側波帯(SSB)位相雑音の比が次
に掲げる式により算定した値未満のもの。
－（126＋20logF－20logf）
上式において、
log は10を底とする常用対数
F はヘルツで表わした動作周波数とオフセット周波数の隔たり
f はメガヘルツで表わした動作周波数
｢注」：3A002.dは出力周波数が２以上の水晶発信器の周波数の加算又は
減算により生成し、若しくはこれらの値を逓倍した値の加算又
は減算により生成される装置を規制しない。
e.ネットワークアナライザーであって、最大動作周波数が40ギガヘルツを
超えるもの。
f.マイクロ波用試験受信機であって、次の全てに該当するもの。
f.1.最大動作周波数が40ギガヘルツを超えるもの。
f.2.振幅及び位相を同時に測定できるもの。
g.原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの。
g.1.長期間安定度（経年変化）が１月当たり1x(10の－11乗)未満のもの。
g.2.”宇宙用”のもの。
｢注」：3A002.g.1はルビジウムを用いた周波数標準器であって、”宇宙
用”でないものを規制しない。
３Ａ１０１ 電子装置、素子及び部分品のうち、３Ａ００１で規制されるもの以
外のものであって、下記のもの（リスト規制品目を参照）。
［許可要件］
規制理由：ＭＴ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＭＴは全ての記載品目に適用される。 MT ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：適用不可
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：数量とする。
関連する規制：3A101.aで規制される品目は、米国国務省、国防貿易管理事
務所の輸出許可を受けなければならない（22CFR第121章参照）。
関連する用語の定義：なし
品目：
a.”ミサイル”で使用することができるアナログデジタル変換器であって、
耐久装置用の軍事仕様を満たすように設計したもの。
b.電子加速器であって、２メガエレクトロンボルト以上のエネルギーを有
する加速された電子からの制動放射によって電磁波を放射できるもの又
はこれらを含むシステム。
｢注」：上記の3A101.bは医療用に特別に設計された装置を含まない。
３Ａ２０１ 電子部分品のうち、３Ａ００１で規制されるもの以外のものであっ
て、下記のもの（リスト規制品目を参照）。
［許可要件］
規制理由：ＮＰ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＰは全ての記載品目に適用される。 NP ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：適用不可
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：数量とする。
関連する規制：この記載品目は医療用の核磁気共鳴(NMR)映像法を用いた
システムのために特別に設計され、かつ、その部品として輸出される
磁石を規制しない。当該部品を装置と異なる供給元から別の積荷で輸
出しても、それが輸出される医療用ＮＭＲ映像システム用である旨、
関連する輸出規制文書で明確に記載してあれば良い。
関連する用語の定義：なし
品目：
a.コンデンサであって、下記のいずれかの特性を有するもの。
a.1.定格電圧が1.4キロボルトを超え、蓄積エネルギーが10ジュールを
超え、容量が0.5マイクロファラドを超え、かつ、直列インダクタ
ンスが50ナノヘンリー未満のもの。 或いは
a.2.定格電圧が750ボルトを超え、容量が0.25マイクロファラドを超え、
かつ、直列インダクタンスが10ナノヘンリー未満のもの。
b.ソレノイドコイル形の超伝導電磁石であって、次の全ての特性を有する
もの。
b.1.磁束密度が2テスラ(20キロガウス)を超えるもの。
b.2.Ｌ／Ｄ比（コイルの長さを内径で除した値）が2を超えるもの。
b.3.コイルの内径が300ミリメートルを超えるもの。
b.4.磁界の均一性が内容積の中心部５０％に渡り１％未満のもの。
（訳者注）上記b.4.が本邦の貨物等省令第１条第三十九号では、軸方向
は均一として、「コイルの軸の中心部分を中心として内径の
35%を半径とする円内であって、コイルの軸に垂直なものの
範囲において、磁界の均一性が1%未満のもの」となっている。
｢注」：3A201.bは医療用の核磁気共鳴(NMR)映像法を用いたシステムの
ために特別に設計され、かつ、その一部として輸出される磁石
を含めない。”その一部として”とは必ずしも同一積荷中の物
理的な一部でなくても良い。装置と異なる供給元からの別の積
荷であっても、それが医療用ＮＭＲ映像システムの”その一部
として”送られるものである旨、関連する輸出規制文書で明確
に記載してあれば良い。
c.フラッシュ放電型のエックス線装置又は電子加速器であって、エネルギ
ーの尖頭値が500キロ電子ボルト以上のもののうち、次のいずれかに該
当するもの。但し、電子ビーム又はエックス線放射用以外の用途（例え
ば、電子顕微鏡）に設計された装置の部分品である加速器及び医療用に
設計されたものを除く。
c.1.電子の運動エネルギーの尖頭値が500キロ電子ボルト以上、25メガ
電子ボルト未満であって、評価指数（Ｋ）が0.25以上のもの。
Ｋは次の如く定義される。
Ｋ＝1700x(Vの2.65乗)xQ
ここで、
V:メガ電子ボルトで表わした電子の運動エネルギーの尖頭値
Q:①ビームのパルス持続時間が１マイクロ秒以下の場合には、
クーロンで表わした加速された電子の全電荷量
②ビームのパルス持続時間が１マイクロ秒を超える場合は、
クーロンで表わした１マイクロ秒の間に加速することが
できる電荷量の最大値
｛Ｑは時間tについての電流iの積分(Q=∫idt)で、ビームのパルス
持続時間又は１マイクロ秒のいずれか短い方の期間の積分値であ
る。ここで、iはアンペアで表わしたビームの電流、tは秒で表わ
した時間である。｝ 或いは
c.2.電子の運動エネルギーの尖頭値が25メガ電子ボルト以上であって、
尖頭出力が50メガワットを超えるもの。
｛尖頭出力＝(ボルトで表わした尖頭電位)x(アンペアで表わした尖
頭ビーム電流)｝
｢技術的な注釈」：
a.ビームのパルス持続時間；マイクロ波加速空胴を用いた機械に
おいては、一つのマイクロ波モジュレータから成る収束ビーム
のパケットの期間若しくは１マイクロ秒のいずれか短い方の期
間とする。
b.尖頭ビーム電流；マイクロ波加速空胴を用いた機械においては、
収束ビームパケット期間中の平均電流とする。
（次項へ続く）