カテゴリー３－エレクトロニクス
Ｂ．試験、検査及び生産装置
３Ｂ００１ 半導体素子又はその材料製造のための装置及びそのために特別に設
計した部分品及び附属品
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
（許可要件に関する注）
許可例外に基づき輸出する際の報告要件については、EARの743章1を参照
のこと。
［許可例外］
ＬＶＳ：＄500まで。
ＧＢＳ：適用可、但し3B001.a.2（有機金属化学的気相成長反応炉），a.3
（ガス源を用いた分子線エピタキシャル成長装置），e（自動ウエ
ハー装填マルチチャンバー対応ウエハー搬送中央システムであっ
て、3B001.a.2及びa.3又はfで規制される装置に接続される場合
に限る），及びf（リソグラフィ装置）を除く。
ＣＩＶ：3B001.a.1で規制される装置に適用可。
［リスト規制品目］
単位：数量とする。
関連する規制：3B991も併せて参照のこと。
関連する用語の定義：なし
品目：
a.”蓄積プログラム制御方式”のエピタキシャル成長装置であって、次の
いずれかに該当するもの。
a.1.75ミリメートル以上の間隔における膜の厚さの許容差の絶対値を
2.5%未満とすることができる装置。
a.2.有機金属化学的気相成長(MOCVD)反応炉であって、3C003又は3C004
で規制される材料間の化学反応により化合物半導体の結晶を成長さ
せるように特別に設計したもの。
a.3.ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置。
b.”蓄積プログラム制御方式”のイオン注入装置であって、次のいずれか
に該当するもの。
b.1.ビームエネルギー（加速電圧）が1メガ電子ボルトを超えるもの。
b.2.ビームエネルギー（加速電圧）が2キロ電子ボルト未満で動作する
よう特別に設計し、また最適化しているもの。
b.3.直接描画を行うことができるもの。
b.4.加熱された半導体材料の”基板”に高エネルギーの酸素を注入でき
るもの。
c.”蓄積プログラム制御方式”の異方性プラズマドライエッチング装置で
あって、次のいずれかに該当するもの。
c.1.カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有する装置であ
って、次のいずれかに該当するもの。
c.1.a.磁場によりプラズマを封じ込める機能を有するもの、 或いは
c.1.b.電子サイクロトロン共鳴(ECR)の方式を用いるもの
c.2.3B001.eにより規制される装置のために特別に設計した装置であっ
て、次のいずれかに該当するもの。
c.2.a.磁場によりプラズマを封じ込める機能を有するもの、 或いは
c.2.b.電子サイクロトロン共鳴(ECR)の方式を用いるもの
d.”蓄積プログラム制御方式”のプラズマ増殖型の化学的気相成長(CVD)
装置であって、次のいずれかに該当するもの。
d.1.カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有する装置であ
って、次のいずれかに該当するもの。
d.1.a.磁場によりプラズマを封じ込める機能を有するもの、 或いは
d.1.b.電子サイクロトロン共鳴(ECR)の方式を用いるもの
d.2.3B001.eにより規制される装置のために特別に設計した装置であっ
て、次のいずれかに該当するもの。
d.2.a.磁場によりプラズマを封じ込める機能を有するもの、 或いは
d.2.b.電子サイクロトロン共鳴(ECR)の方式を用いるもの
e.”蓄積プログラム制御方式”の自動ウエハー装填マルチチャンバー対応
ウエハー搬送中央システムであって、次の全てに該当するもの。
e.1.３台以上の半導体製造装置を接続できるウエハーの出し入れ用接続
部を有するもの。
e.2.複数のウェハーの処理を連続して行うために真空状態で一体化され
た装置を構成するように設計したもの。
｢注」：3B001.e.は真空環境中で使用するように設計していない自動ロ
ボットウェハー搬送システムを規制しない。
f.”蓄積プログラム制御方式”のリソグラフィ装置であって、次のいずれ
かに該当するもの。
f.1.ウェハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップ
アンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエッ
クス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの。
f.1.a.光源の波長が350ナノメートル未満のもの、 或いは
f.1.b.パターンを形成する際の最小分解能形状寸法が0.5マイクロメ
ートル以下のもの
｢技術的な注釈」：最小分解能形状寸法(MRF)は次式により計算される。
ＭＲＦ＝
（マイクロメートル単位で表わした光源の波長）ＸＫ
----------------------------------------------
開口数(ｱﾊﾟﾁｬ)
ここで、Ｋ＝0.7 とする。
f.2.マスク製造又は半導体素子処理用に特別に設計した装置であって、
偏光焦点電子ビーム、イオンビーム又は”レーザー発振器”ビーム
を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの。
f.2.a.照射面の直径が0.2マイクロメートル未満のもの
f.2.b.1マイクロメートル未満の線幅のパターンを形成できるもの
或いは
f.2.c.重ね合せ精度の絶対値が0.2マイクロメートル(3シグマの値)未
満のもの
g.マスク及びレチクルであって、3A001で規制される集積回路用に設計し
たもの。
h.位相シフト層を有する多層マスク。
３Ｂ００２ ”蓄積プログラム制御方式”の試験装置であって、完成された又は
切断されていない半導体素子を試験するために特別に設計したもの
及びそのために特別に設計された部分品及び附属品
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：＄500まで。
ＧＢＳ：適用可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：台数とする。
関連する規制：3B992も併せて参照のこと。
関連する用語の定義：なし
品目：
a.31ギガヘルツを超える周波数でトランジスタのエスパラメータを試験す
ることができるもの。
b.333メガヘルツを超えるパターン速度で集積回路の真理値試験を行うこ
とができるもの。
｢注」：3B002.bは次のものを試験するために特別に設計した試験装置を
規制しない。
1.家庭用又は娯楽用の”組立品”、”組立品”の部類は全て。
2.規制されていない電子部品、”組立品”又は集積回路。
｢技術的な注釈」：3B002.bにおいて、パターン速度は試験装置のデジタ
ル動作における最大周波数と定義される。従って、これは非多重
モードで供給できる最高データ速度に相当する。そして又、これ
は試験速度、最大デジタル周波数又は最大デジタル速度とも呼ば
れる。
c.3A001.b.2で規制されるマイクロ波用集積回路を試験することができる
もの。
３Ｂ９９１ 電子部品及び材料の製造装置であって、３Ｂ００１で規制されない
もの、及びそのために特別に設計された部分品及び附属品
［許可要件］
規制理由：ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：適用不可
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：装置は台数とする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
a.3A001又は3A991で規制される電子管、光素子及びそのために特別に設
計された部分品の製造のために特別に設計した装置。
b.半導体素子、集積回路及び”組立品”の製造のために特別に設計された
装置であって、次のいずれかに該当するもの、及び係る装置の特性を組
み込み又は有するシステム。
｢注」：3B991.bはイメージデバイス、光電子素子、及び弾性波素子のよ
うなその他デバイスの製造に使用され、修正される装置も併せ
て規制する。
b.1.3B991.bの頭書きに明記した素子及び部分品の製造用材料の処理の
ための装置であって、次のいずれかに該当するもの。
｢注」：3B991は、3B991.b.1で規制される処理装置のために特別に設計
した石英製の炉管、敷き金、へら、ボート（特別に設計した篭
入れ方式のボートを除く）、バブラー、カセット又はるつぼを
規制しない。
b.1.a.多結晶シリコン及び3C001で規制される材料を生産するため
の装置
b.1.b.3C001,3C002,3C003若しくは3C004で規制されるⅢ－Ⅴ族及び
Ⅱ－Ⅵ族の半導体材料の精錬又は処理のために特別に設計し
た装置。但し、下記の3B991.b.1.cに示す結晶引き上げ器を除
く
b.1.c.結晶引き上げ器及び炉であって、次のいずれかに該当するも
の
｢注」：3B991.b.1.c は拡散炉及び酸化炉を規制しない。
b.1.c.1.定温炉以外の焼鈍若しくは再結晶装置であって、1分当た
り0.005平方メートルを超える速度でウエハーを処理でき
る高速ネルギー伝達方式を用いたもの
b.1.c.2.”蓄積プログラム制御方式”の結晶引き上げ器であって、
次のいずれかの特性を有するもの
b.1.c.2.a.るつぼを入れ替えずに再装填ができるもの
b.1.c.2.b.2.5x(10の5乗)バスカルを超える圧力で動作可能な
もの、 或いは
b.1.c.2.c.直径が100ミリメートルを超える結晶を引き上げで
きるもの
b.1.d.”蓄積プログラム制御方式”のエピタキシャル成長装置であ
って、次のいずれかの特性を有するもの
b.1.d.1.ウエハー全体の膜の厚さの許容差の絶対値を3.5%以下に
することができる装置
b.1.d.2.処理中に個々のウエハーを循環できるもの
b.1.e.分子線エピタキシャル成長装置
b.1.f.特別に設計したロードロック機能を装備した、磁気的に性能
を向上させた”スパッタリング”装置であって、真空状態で
ウエハーを搬送できるもの
b.1.g.イオン注入、イオン増殖型又は光増殖型拡散のために特別に
設計した装置であって、次のいずれかの特性を有するもの
b.1.g.1.パターン形成能力のあるもの
b.1.g.2.ビームエネルギー（加速電圧）が200キロ電子ボルトを超
えるもの
b.1.g.3.ビームエネルギー（加速電圧）が10キロ電子ボルト未満
で動作するよう最適化されているもの、 或いは
b.1.g.4.加熱された”基板”に高エネルギー酸素イオンを注入で
きるもの
b.1.h.異方性ドライ方式（例えばプラズマ）を用いて選択的に除去
（エッチング）するための”蓄積プログラム制御方式”装置
であって、次のいずれかに該当するもの
b.1.h.1.バッチ方式のものであって、次のいずれかのもの
b.1.h.1.a.終点検出が、光放射以外の分光器使用によるもの、
或いは
b.1.h.1.b.反応炉の動作（エッチング）圧が26.66パスカル以下
のもの
b.1.h.2.単一ウエハー方式であって、次のいずれかに該当する
もの
b.1.h.2.a.終点検出が、光放射以外の分光器使用によるもの
b.1.h.2.b.反応炉の動作（エッチング）圧が26.66パスカル以下
のもの、 或いは
b.1.h.2.c.ウエハーの搬送がカセットツウカセットで、かつ、
ロードロック機能を有するもの
｢注」：1.”バッチ方式”とは単一のウエハーの生産処理用に特別に設
計したものではない機械に関係する。係る機械は、同じ処理
条件で例えば高周波電力、温度、エッチングガスの種類、流
速が同じ状態で二つ以上のウエハーを同時に処理できる。
2.”単一ウエハー方式”とは単一ウエハーの生産処理のために
特別に設計した機械に関係する。これらの機械は単一ウエハ
ーを処理装置に装荷するのに自動搬送技術を使用する。これ
には複数のウエハーを装荷し、処理できる装置を含む。但し、
この場合はエッチング条件、例えば高周波電力又は終点が、
各ウエハー毎に独立に決定できるものでなければならない。
b.1.i.半導体素子製造用の”化学的気相成長”(CVD)装置、例えばプ
ラズマ増殖型ＣＶＤ(PECVD)又は光増殖型ＣＶＤであって、酸
化物、窒化物、金属又は多結晶の析出につき次のいずれかの
能力を有するもの
b.1.i.1.”化学的気相成長”装置であって、10の5乗パスカル未満
の圧力で動作するもの、 或いは
b.1.i.2.PECVD装置であって、60パスカル（450ミリトル）未満で
動作するもの、若しくは自動カセットツウカセット機能
を有し、かつ、ロードロックウエハー搬送ができるもの
｢注」：3B991.b.1.iは低圧”化学的気相成長”(LPCVD)システム又は反
応型の”スパッタリング”装置を規制しない。
b.1.j.マスクの作成又は半導体素子の処理用に特別に設計若しくは
修正した電子ビームシステムであって、次のいずれかの特性
を有するもの
b.1.j.1.静電気によるビーム偏光のもの
b.1.j.2.ビームの強度が非ガウス分布を形成するもの
b.1.j.3.デジタルアナログ変換速度が3メガヘルツを超えるもの
b.1.j.4.デジタルアナログ変換精度が12ビットを超えるもの、
或いは
b.1.j.5.ビームの目標位置のフィードバック制御の精度が1マイク
ロメートル以下のもの
｢注」：3B991.b.1.jは電子ビーム析出システム又は汎用の走査型電子顕
微鏡を規制しない。
b.1.k.半導体ウエハーの処理における表面仕上げ装置であって、次
のいずれかに該当するもの
b.1.k.1.厚さが100マイクロメートル未満のウエハーの背面処理と
それに続くその選別のために特別に設計した装置、
或いは
b.1.k.2.処理すべきウエハーの活性面の表面粗さを、表面全体に
について測定した指示器読み取り値(TIR)が2シグマの偏
差において2マイクロメートル以内にできるように特別に
設計した装置
｢注」：3B991.b.1.kはウエハー表面仕上げにおいて、片面のラッピング
と研磨をする装置を規制しない。
b.1.l.3B991により規制される装置を完全なシステムに統合できるよ
う特別に設計した共通の単一又は複数の真空チャンバーを内
臓する相互接続装置
b.1.m.”モノリシック集積回路”の修理又は手入れのために”レーザ
ー発振器”を使用した”蓄積プログラム制御方式”の装置であ
って、次のいずれかの特性を有するもの
b.1.m.1.位置決め精度の絶対値が1マイクロメートル未満のもの
或いは
b.1.m.2.照射面の直径（切り溝幅）が3マイクロメートル未満の
もの
b.2.3B991の頭書きに明記した素子及び部分品の製造用のマスク、マス
ク”基板”、マスク作成装置及び映像伝達装置であって、次のもの。
｢注」：術語”マスク”とは電子ビームリソグラフィ、エックス線リソ
グラフィ、及び紫外線リソグラフィ、同様に通常の紫外線と可
視光の光リソグラフィで使用されるところのものを言う。
b.2.a.完成したマスク、レチクル及びそのための設計図であって、
次のものを除く
b.2.a.1.禁輸でない集積回路の生産用の完成マスク又はレチクル、
或いは
b.2.a.2.マスク又はレチクルであって、次の両方の特性を有する
もの
b.2.a.2.a.それらの設計図は2.5マイクロメートル以上の設計基
準（最小寸法）に基づき作成されている
b.2.a.2.b.その設計図には、生産装置又は”ソフトウェア”を
用いて当初の使用目的を変えるための特別なものが
含まれていない
b.2.b.マスク”基板”であって、次のいずれかに該当するもの
b.2.b.1.硬質表面（例えばクロム、シリコン、モリブデン）に、
マスク作成用の”基板”（例えばガラス、石英、サファ
イア）を被覆したものであって、一辺が125ミリメートル
の正方形より大きなもの、 或いは
b.2.b.2.”基板”であって、エックス線マスク用に特別に設計し
たもの
b.2.c.汎用電子計算機以外の装置であって、半導体素子又は集積回
路の電子計算機援用設計(CAD)のために特別に設計したもの
b.2.d.マスク又はレチクル製造用の装置若しくは機械であって、次
のいずれかに該当するもの
b.2.d.1.写真光学のステップアンドリピート方式カメラであって、
一辺が100ミリメートルの正方形を超える配列を生成でき
るもの、又は映像（即ち焦点）面で一辺が6ミリメートル
の正方形を超える単一露光が行えるもの、又は”基板”
上のホトレジストに2.5マイクロメートル未満の線幅を生
成できるもの
b.2.d.2.イオン又は”レーザー発振器”ビームリソグラフィを使
用したマスク若しくはレクチル製造装置であって、2.5
マイクロメートル未満の線幅を生成できるもの
b.2.d.3.マスク又はレチクルの改造若しくは欠陥の除去のための
薄膜追加のための装置又は入れ物
｢注」：3B991.b.2.d.1及びb.2.d.2は写真光学法を使用したマスク製造
装置であって、１９８０年１月１日より前に商業ベースで入手
できたもの、若しくは前記装置と同様の低い性能のものを規制
しない。
b.2.e.マスク、レチクル又は薄膜の検査用”蓄積プログラム制御方
式”の装置であって、次の全ての機能を有するもの
b.2.e.1.分解能が0.25マイクロメートル以上のもの
b.2.e.2.一乃至ニ座標について、63.5ミリメートル以上の距離を
0.75マイクロメートル以上の精度で測定できるもの
｢注」：3B991.b.2.e は汎用の走査型電子顕微鏡を規制しない。但し、
自動パターン検査用に特別に設計し装置したものを除く。
b.2.f.写真光学又はエックス線方式のウエハー生産用露光装置であ
って、投射映像伝達装置とステップアンドリピート方式（ウ
エハーに直接描画）又はステップアンドスキャン方式（スキ
ャナー）の装置を含み、次のいずれかの機能を有するもの
｢注」：3B991.b.2.f は写真光学法の接触型及び近接型マスク露光装置
又は接触型映像伝達装置を規制しない。
b.2.f.1.パターン寸法が2.5マイクロメートル未満のものを生産で
きるもの
b.2.f.2.位置の調整の精度の絶対値が0.25マイクロメートル（3
シグマ）より小さいもの
b.2.f.3.機械間の重ね合せ精度の絶対値が0.3マイクロメートル
より良くないもの、 或いは
b.2.f.4.光源の波長が400ナノメートールより短いもの
b.2.g.投射映像伝達用の電子ビーム、イオンビーム又はエックス線
の装置であって、2.5マイクロメートル未満のパターンを生成
できるもの
｢注」：収束、偏光ビームシステム（直接描画システム）については、
3B991.b.1.jを参照のこと。
b.2.h.ウエハーに直接描画するために”レーザー発振器”を使用す
る装置であって、2.5マイクロメートル未満のパターンを生成
できるもの
b.3.集積回路の組立用装置であって、次のいずれかに該当するもの。
b.3.a.”蓄積プログラム制御方式”のダイ結合機(ﾀｲﾎﾞﾝﾀﾞｰ)であっ
て、次の全ての特性を有するもの
b.3.a.1.”ハイブリット集積回路”のために特別に設計したもの
b.3.a.2.作業台のＸ－Ｙ方向の位置決めが一辺が37.5ミリメート
ルの正方形を超える範囲で行えるもの
b.3.a.3.Ｘ－Ｙ面における設定精度の絶対値が10マイクロメート
ルより精密なもの
b.3.b.一回の操作で複数点の結合を行える”蓄積プログラム制御方
式”の装置（例えばビーム方式リード結合機、チップキャリ
ア結合機、テープ結合機）
b.3.c.半自動又は自動のホットキャップ封止機、そこではキャップ
がパッケージ本体より高温で局部的に熱せられているもので
あって、3A001により規制されるセラミックパッケージのため
に特別に設計し、毎分１パッケージ以上の処理ができるもの
｢注」：3B991.b.3 は汎用の抵抗式スポット溶接機を規制しない。
b.4.クリーンルーム用フィルターで、0.02832立方メートル毎に0.3
マイクロメートル以下の粒子が10個以下の室内空気環境を提供でき
るもの及びそのためのフィルター材料。
３Ｂ９９２ ３Ｂ００２で規制されない装置であって、電子部品及び材料の試験
又は検査用のもの、及びそのために特別に設計された部分品及び附
属品
［許可要件］
規制理由：ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：適用不可
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：装置は台数とする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
a.3A001又は3A991で規制される電子管、光素子及びそのために特別に設
計された部分品の検査又は試験のために特別に設計した装置。
b.半導体素子、集積回路及び”組立品”の検査又は試験のために特別に設
計された装置であって、次のいずれかに該当するもの、及び係る装置の
特性を組み込み又は有するシステム。
｢注」：3B992.bはイメージデバイス、光電子素子、及び弾性波素子のよ
うなその他デバイスの検査又は試験に使用され、修正される装
置も併せて規制する。
b.1.”蓄積プログラム制御方式”の検査装置のうち、処理済みウエハー、
若しくは”基板”但し印刷回路基板又はチップ以外のもの、の内部
又は表面にある0.6マイクロメートル以下の欠陥、エラー又は汚染
を自動的に検出するためのものであって、パターンの比較に関し光
映像習得技術を使用するもの。
｢注」：3B992.b.1 は汎用の走査型電子顕微鏡を規制しない。但し、自
動パターン検査用に特別に設計し装置したものを除く。
b.2.特別に設計した”蓄積プログラム制御方式”の測定及び解析装置で
あって、次のいずれかに該当するもの。
b.2.a.半導体材料中の酸素又は炭素の含有量を測定するために特別に
設計したもの
b.2.b.１マイクロメートル以上の分解能（1マイクロメートル以下の
微細な寸法を識別できる）で線幅を測定するための装置
b.2.c.特別に設計した平坦度測定器であって、1マイクロメートル以
上の分解能で、平坦面からの10マイクロメートル以下の偏差を
測定できるもの
b.3.”蓄積プログラム制御方式”のウエハーのプロービング装置であっ
て、次のいずれかの特性を有するもの。
b.3.a.位置決め精度が3.5マイクロメートルより精密なもの
b.3.b.端子数が68を超える素子を試験できるもの、 或いは
b.3.c.1ギガヘルツを超える周波数で試験できるもの
b.4.試験装置であって、次のいずれかに該当するもの。
b.4.a.”蓄積プログラム制御方式”の装置のうち、個別半導体素子及
びカプセル封止してないチップの試験用に特別に設計したもの
であって、18ギガヘルツを超える周波数で試験できるもの
｢技術的な注釈」：個別半導体素子には光電池及び太陽電池を含む。
b.4.b.”蓄積プログラム制御方式”の装置のうち、集積回路及びそれ
の”組立品”を試験するために特別に設計したものであって、
次のいずれかの機能試験ができるもの
b.4.b.1.パターン速度が20メガヘルツを超えるもの、 或いは
b.4.b.2.パターン速度が10メガヘルツを超え20メガヘルツ未満であ
って、かつ、端子数が68を超えるパッケージを試験できる
もの
｢注」：3B992.b.4.b は3A001又は3A991で規制されない集積回路の試験
用に特別に設計した装置を規制しない。
｢注」：1.3B992.b.4.b は家庭用又は娯楽用の”組立品”、”組立品”
の部類は全てを含み、これらを試験するために特別に設計し
た試験装置を規制しない。
2.3B992.b.4.b は3A001又は3A991で規制されない電子部品、
”組立品”及び集積回路の試験用に特別に設計した試験装置
を規制しない。但し、係る試験装置が”利用者によるプログ
ラム化可能”な計算機設備を組み込んでいない場合に限る。
b.4.c.1200ナノメートルを超える波長で、フォーカルプレーンアレイ
の性能を決定するために特別に設計した装置のうち、”蓄積プ
ログラム制御方式”の測定又は電子計算機援用評価を用いたも
のであって、次のいずれかの特性を有するもの
b.4.c.1.直径が0.12ミリメートル未満の走査光点を用いるもの
b.4.c.2.光電感度性能パラメータ測定用であって、周波数応答、変
調伝達関数、応答の均一度又は雑音の評価用に設計したも
の、 或いは
b.4.c.3.アレイの評価用に設計したものであって、32x32 を超える
線状要素を備えたもので映像を生成できるもの
b.5.電子ビーム試験システムのうち、3キロ電子ボルト以下で動作する
ように設計したもの、又は”レーザー発振器”ビームシステムの
うち、電源投入中の半導体素子の非接触プロービング用であって、
次のいずれかに該当するもの。
b.5.a.ビーム消去若しくは検出器が閃光を発するストロボ性能を有す
るもの
b.5.b.0.5ボルトより小さい値の分解能を有する電圧測定用電子分光
光度計、 或いは
b.5.c.集積回路の動作解析用の電気的試験用フィクスチャー
｢注」：3B992.b.5は走査型電子顕微鏡を規制しない。但し、電源投入中
の半導体素子の非接触プロービング用に特別に設計し、装備し
た場合を除く。
b.6.”蓄積プログラム制御方式”の多機能焦点方式イオンビームシステ
ムのうち、製造、修理、物理的配置の解析及びマスク又は半導体素
子の試験用に特別に設計したものであって、次のいずれかの特性を
有するもの。
b.6.a.ビームの目標位置のフィードバック制御の精度が1マイクロメ
ートル以下のもの
b.6.b.デジタルアナログ変換精度が12ビットを超えるもの
b.7.”レーザー発振器”を用いた粒子測定システムのうち、空気中の粒
子の寸法及び濃度を測定するために設計したものであって、次の両
方の特性を併せもつもの。
b.7.a.毎分0.02832立方メートル以上の風速で、0.2マイクロメートル
以下の粒子を測定できるもの
b.7.b.10等級以上の清浄空気の特徴を調べることができるもの