カテゴリー３－エレクトロニクス
Ｃ．材料
３Ｃ００１ 次のいずれかに該当するもののエピタキシャル成長多層膜を積み重
ねた”基板”から成るヘテロエピタキシャル材料（リスト規制品目
を参照）
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：＄3000まで。
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：Ⅲ－Ⅴ族化合物は、メンデレーエフの周期分類表の
ⅢA及びⅤA群の元素から成る多結晶製品又は単結晶の複合体を
言う（例えば、ガリウム砒化物、ガリウム・アルミニウム砒化
物、インジウム燐化物）。
品目：
a.シリコン
b.ゲルマニウム、 或いは
c.ガリウム又はインジウムのⅢ－Ⅴ族化合物
３Ｃ００２ レジスト材料及び規制されるレジストで被覆された”基板”
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：＄3000まで。
ＧＢＳ：適用可、但し波長が365ナノメートル未満の写真リソグラフィ用に
最適化されていないポジ形レジストであって、3C002.bから.dによ
り規制されないものに限る。
ＣＩＶ：適用可、但し波長が365ナノメートル未満の写真リソグラフィ用に
最適化されていないポジ形レジストであって、3C002.bから.dによ
り規制されないものに限る。
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：シリル化技術とは、湿式及び乾式共に現像性能を向上
させるためにレジスト表面の酸化を取り入れた処理と定義される。
品目：
a.半導体用リソグラフィに使用するポジ形レジストであって、350ナノメ
ートル未満の波長の光で使用するよう特別に調整（最適化）したもの。
b.１平方ミリメートル当たり0.01マイクロクーロン以下の電荷量を照射す
る電子ビーム又はイオンビームに対する感度を有するように設計した全
てのレジスト。
c.１平方ミリメートル当たり2.5ミリジュール以下のエネルギーを照射す
るエックス線に対する感度を有するように設計した全てのレジスト。
d.表面イメージ技術用に最適化した全てのレジストであって、シリル化
したレジストを含む。
３Ｃ００３ 有機・無機化合物であって、次のもの（リスト規制品目を参照）
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：＄3000まで。
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：本記載品目は、化合物中の金属、半金属又は非金属元素が
分子の有機部分の炭素と直接結合している化合物のみ規制する。
関連する用語の定義：なし
品目：
a.アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純
度（金属ベース）が99.999パーセントを超えるもの。
b.有機砒素、有機アンチモン及び有機燐を含む化合物であって、純度（無
機元素ベース）が99.999パーセントを超えるもの。
３Ｃ００４ 燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が99.999パーセ
ントを超えるもの、不活性ガス又は水素で希釈したものも含む
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：＄3000まで。
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：本記載品目は、表題の希釈品について20モルパーセント以
上の不活性ガス又は水素を含んだものを規制しない。
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｃ９９２ 半導体用リソグラフィに使用するポジ形レジストであって、350と
370ナノメートルの間の波長の光で使用するよう特別に調整（最適
化）したもの
［許可要件］
規制理由：ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＬＶＳ：適用不可
ＧＢＳ：適用不可
ＣＩＶ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
Ｄ．ソフトウェア
３Ｄ００１ 3A001.bから3A002.gまで又は3B(但し、3B991及び3B992を除く)に
より規制される装置の”開発”又は”生産”のために特別に設計
した”ソフトウェア”
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは3A001.bから3A001.fまで、3A002及び3Bにより規制 NS ｶﾗﾑ1
される装置のための”ソフトウェア”に適用される。
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
（許可要件に関する注）
許可例外に基づき輸出する際の報告要件については、EARの743章1を参照
のこと。
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：3D101も併せて参照のこと。
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｄ００２ 3B(但し、3B991及び3B992を除く)により規制される”蓄積プログ
ラム方式”の装置の”使用”のために特別に設計した”ソフトウ
ェア”
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｄ００３ 半導体素子又は集積回路設計用の電子計算機援用設計（ＣＡＤ）
”ソフトウェア”であって、次のいずれかに該当するもの（リス
ト規制品目を参照）
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：本記載品目は、回路図入力、論理シミュレーション、配置
配線、レイアウト検証又はパターン発生テープのために特別に設計し
た”ソフトウェア”を規制しない。
関連する用語の定義：1.)半導体素子又は集積回路設計のためのライブラリ
ー、設計属性又は関連データは”技術”と見なす。2.)リソグラフ工程
のプロセスシミュレーターは設計に用いられる”ソフトウェア”パッケ
ージであって、マスクのパターンを導体、誘電体又は半導体材料などの
上で特定の配線パターンに変換される際に行われる転写、エッチング、
現像の結果をシミュレートすることができるものを言う。
品目：
a.設計規則又は回路検証規則を有するもの。
b.物理的に配列された回路のシミュレーション機能を有するもの。
c.リソグラフ工程のプロセスシミュレータを有するもの。
３Ｄ１０１ 3A101.bにより規制される装置の”使用”のために特別に設計し
た”ソフトウェア”
［許可要件］
規制理由：ＭＴ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＭＴは全ての記載品目に適用される。 MT ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｄ１０２ 3A001.a.1.a又は3A101により規制される装置の”開発”又は
”生産”のために特別に設計した”ソフトウェア”
［許可要件］
規制理由：ＭＴ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＭＴは全ての記載品目に適用される。 MT ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｄ９８０ 3A980及び3A981により規制される品目の”開発”、”生産”若し
くは”使用”のために特別に設計した”ソフトウェア”
［許可要件］
規制理由：ＣＣ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＣＣは全ての記載品目に適用される。 CC ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｄ９９１ 3A991により規制される電子素子又は部分品、3A992により規制さ
れる汎用電子装置、又は3B991及び3B992により規制される製造及
び試験装置の”開発”、”生産”若しくは”使用”のために特別
に設計した”ソフトウェア”
［許可要件］
規制理由：ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：ドル建てとする。
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
Ｅ．技術
３Ｅ００１ 3A(但し、3A292,3A980,3A981,3A991又は3A992を除く),3B(但し、
3B991及び3B992を除く)又は3Cにより規制される装置若しくは材
料の”開発”又は”生産”に係る”技術”であって、General
Technology Noteに従うもの
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＭＴ，ＮＰ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは3A001,3A002,3B001及び3B002又は3C001から3C004 NS ｶﾗﾑ1
までにより規制される品目に係る”技術”に適用さ
れる。
ＭＴは3A001又は3A101に該当し、規制理由MTにより規制 MT ｶﾗﾑ1
される装置に係る”技術”に適用される。
ＮＰは3A201,3A225から3A233までに該当し、規制理由NP NP ｶﾗﾑ1
により規制される装置に係る”技術”に適用される。
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
（許可要件に関する注）
許可例外に基づき輸出する際の報告要件については、EARの743章1を参照
のこと。
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用可。但し、規制理由MTのものには適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：1.)3E101及び3E201も併せて参照のこと。
2.)3E001は次のものの”開発”又は”生産”に係る”技術”を規制し
ない。
(a)31ギガヘルツ未満の周波数で動作するマイクロ波トランジスタ
(b)3A001.a.3からa.12までにより規制される集積回路であって、
次の全てに該当するもの
1.最小線幅が0.7マイクロメートル以上の”技術”を使用する
もの
2.多層構造を組み込んでいないもの
3.)本記載品目における術語「多層構造」には、多結晶シリコン層及び
金属層がいずれも２層以下のものを含まない。
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｅ００２ リスト規制品目に記述された品目の”開発”又は”生産”に係
るその他”技術”
［許可要件］
規制理由：ＮＳ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＳは全ての記載品目に適用される。 NS ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用可。但し、.e及び.fを除く。
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：1.)集積回路の放射線耐力強化に関する”開発”又は”生産”
に係るシリコンオンインシュレーション(SOI)”技術”については、
3E001を参照のこと。
関連する用語の定義：なし
品目：
a.真空マイクロエレクトロニクス装置。
b.高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ・バイポーラトランジスタ
(HBT)、量子井戸と超格子素子のようなヘテロ構造の半導体素子。
c.”超伝導”電子装置。
d.電子機器の部分品として用いる基板であって、ダイヤモンドの薄膜を
用いたもの。
e.絶縁物にシリコンの二酸化物を用いた集積回路用のシリコンオンイン
シュレータ(SOI)基板。
f.電子機器の部分品として用いる基板であって、炭化珪素を用いたもの。
g.”マイクロプロセッサ”，”マイクロコンピュータ”及びマイクロコ
ントローラであって、論理演算ユニットのアクセス幅のビット数が32
以上のもののうち、”複合理論性能”（”ＣＴＰ”）が１秒につき530
メガ演算以上のものの”開発”又は”生産”に係りGeneral Technology
Noteに従う”技術”。但し、3E001に規制されるものを除く。
「注」：3E002.g は次のものの”開発”又は”生産”に係る”技術”を
規制しない。
(a)31ギガヘルツ未満の周波数で動作するマイクロ波トランジ
スタ
(b)3A001.a.3からa.12までにより規制される集積回路であっ
て、次の全てに該当するもの
1.)最小線幅が0.7マイクロメートル以上の”技術”を使用
するもの
2.)多層構造を組み込んでいないもの
本記載品目における術語「多層構造」には、多結晶シリコン
層及び金属層がいずれも２層以下のものを含まない。
３Ｅ１０１ 3A001.a.1.a又は3A101により規制される装置又は”ソフトウェア”
の”使用”に係る”技術”であって、General Technology Noteに
従うもの
［許可要件］
規制理由：ＭＴ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＭＴは全ての記載品目に適用される。 MT ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｅ１０２ 3D101により規制される”ソフトウェア”の”開発”に係る”技術”
であって、General Technology Noteに従うもの
［許可要件］
規制理由：ＭＴ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＭＴは全ての記載品目に適用される。 MT ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｅ２０１ 3A201,3A225から3A233までにより規制される装置の”使用”に係
る”技術”であって、General Technology Noteに従うもの
［許可要件］
規制理由：ＮＰ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＰは全ての記載品目に適用される。 NP ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｅ２９２ 3A292により規制される装置の”開発””生産”若しくは”使用”
に係る”技術”であって、General Technology Noteに従うもの
［許可要件］
規制理由：ＮＰ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＮＰは全ての記載品目に適用される。 NP ｶﾗﾑ2
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｅ９８０ 3A980及び3A981により規制される品目の”開発””生産”若し
くは”使用”のために特別に設計した”技術”
［許可要件］
規制理由：ＣＣ，ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＣＣは全ての記載品目に適用される。 CC ｶﾗﾑ1
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
３Ｅ９９１ 3A991により規制される電子装置及び部分品、3A992により規制さ
れる汎用電子装置、又は3B991或いは3B992により規制される製造
及び試験装置の”開発””生産”若しくは”使用”に係る”技術”
［許可要件］
規制理由：ＡＴ
規 制 ｶﾝﾄﾘﾁｬｰﾄ
ＡＴは全ての記載品目に適用される。 AT ｶﾗﾑ1
［許可例外］
ＣＩＶ：適用不可
ＴＳＲ：適用不可
［リスト規制品目］
単位：なし
関連する規制：なし
関連する用語の定義：なし
品目：
リスト規制品目はＥＣＣＮの頭書きに同じ。
ＥＡＲ９９ 本CCLカテゴリー或いはその他のCClカテゴリーのどこにも明記され
ていないＥＡＲ品目はＥＡＲ９９と呼ばれる。